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簡(jiǎn)介: 硅酸鋁方管 | 精密鋁方管 | 合金鋁方管 | 浸漬提拉法 以乙烯基三乙氧基硅烷(KHl51和正硅酸乙酯(TEOS為前驅(qū)體、用浸漬提拉法在工業(yè)鋁方管表面制備了硅氧膜。通過(guò)金相顯微鏡觀察了硅氧膜的表面形貌,通過(guò)硫酸銅點(diǎn)滴、鹽霧試驗(yàn)、析氫實(shí)驗(yàn)和TafeI曲線、交流阻抗譜(EIS等電化學(xué)方法對(duì)鋁方管表面硅氧膜的耐蝕性能進(jìn)行了考察。結(jié)果表明,硅氧膜均勻、致密、平整,使鋁方管的自腐蝕電位明顯正移;相對(duì)于空白試樣,鉻鈍化鋁方管和涂有硅氧膜的鋁方管的自腐蝕電流密度分別下降 | |
硅酸鋁方管 | 精密鋁方管 | 合金鋁方管 | 浸漬提拉法
以乙烯基三乙氧基硅烷(KHl51和正硅酸乙酯(TEOS為前驅(qū)體、用浸漬提拉法在工業(yè)鋁方管表面制備了硅氧膜。通過(guò)金相顯微鏡觀察了硅氧膜的表面形貌,通過(guò)硫酸銅點(diǎn)滴、鹽霧試驗(yàn)、析氫實(shí)驗(yàn)和TafeI曲線、交流阻抗譜(EIS等電化學(xué)方法對(duì)鋁方管表面硅氧膜的耐蝕性能進(jìn)行了考察。結(jié)果表明,硅氧膜均勻、致密、平整,使鋁方管的自腐蝕電位明顯正移;相對(duì)于空白試樣,鉻鈍化鋁方管和涂有硅氧膜的鋁方管的自腐蝕電流密度分別下降了1和2個(gè)數(shù)量級(jí),硅氧膜電極體系總電阻是空白試樣總電阻的6.1倍、鉻鈍化膜總電阻的1.48倍。 硅鋁比對(duì)無(wú)堿鋁硼硅酸鹽玻璃高溫粘度和析晶性能的影響。結(jié)果表明,隨著硅鋁比的增加,無(wú)堿鋁硼硅酸鹽系統(tǒng)玻璃的高溫粘度、成型溫度和粘滯活化能增加,液相溫度降低,成型溫度與液相線溫度的差值增大。過(guò)浸漬法制備了有機(jī)-無(wú)機(jī)耐蝕雜化膜。通過(guò)正硅酸乙酯和乙烯基三乙氧基硅烷水解縮合與溶膠凝膠法,成功地在鋁方管表面沉積得到乙烯基三乙氧基-二氧化硅薄膜。最佳制備條件為:水解溫度35℃,水解時(shí)間180min,固化溫度120℃,固化時(shí)間90min通過(guò)點(diǎn)滴、鹽霧、堿浸失重和析氫試驗(yàn),研究了膜層的耐蝕性。結(jié)果表明:CuSO4點(diǎn)滴時(shí)間鋁方管延長(zhǎng)約40倍;耐蝕性明顯增強(qiáng),相同情況下的失重速率減半;析氫時(shí)間也延長(zhǎng)1倍。采用溶膠-凝膠法。
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